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等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積（PECVD）是化學(xué)氣相淀積的一種，其特點(diǎn)是在低溫下利用等離子體的激活作用來(lái)增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是沉積溫度低，沉積速率快，而且制得的薄膜具有優(yōu)良的電學(xué)性能、良好的襯底附著性以及**的臺(tái)階覆蓋性。
PECVD氣相沉積應(yīng)用領(lǐng)域：
等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)可以用于：石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗(yàn)場(chǎng)所。可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、**裝飾等領(lǐng)域，PECVD氣相沉積在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用
技術(shù)參數(shù)：
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型號(hào) |
TN-PECVD-200SST |
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腔體尺寸 |
φ500- |
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溫區(qū)長(zhǎng)度 |
200 |
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射頻電源 |
500W- |
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溫度 |
1000℃- |
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前級(jí)泵 |
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顯示類型 |
T |
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溫區(qū) |
I- |
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水冷機(jī) |
CW5200 |
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腔體材質(zhì) |
SS |
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樣品加熱加熱溫度 |
RT-1000℃以上，溫控精度：±1°C，采用控溫表進(jìn)行控溫； 可調(diào)轉(zhuǎn)速：1-20rpm可調(diào) |
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噴淋頭尺寸 |
Φ90mm，噴淋頭與樣品之間電極間距40-100mm在線連續(xù)可調(diào)（可根據(jù)工藝調(diào)整），并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示 |
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樣品臺(tái) |
直徑200mm |
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沉積工作真空 |
0.133-133Pa（可根據(jù)工藝調(diào)整） |
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頂部法蘭 |
可通過(guò)馬達(dá)提升，基板更換方便，有可視口 |
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基板臺(tái) |
基板臺(tái)的線性和方位角運(yùn)動(dòng)，基板加熱和溫度控制，安裝臺(tái)和觸摸屏控制，基板線性運(yùn)動(dòng)是手動(dòng)控制的，基板旋轉(zhuǎn)是由直流電動(dòng)機(jī)控制的 |
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真空腔體 |
前開(kāi)門式，φ500mm X 500mm 不銹鋼材質(zhì) |
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觀察窗 |
φ100mm 帶擋板 |
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質(zhì)量流量計(jì) |
六路質(zhì)量流量計(jì) |
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氣路數(shù)量 |
六路 |
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承壓范圍 |
-0.15Mpa~0.15Mpa |
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量程 |
0~100 SCCM（氧氣） 0~100 SCCM（CF4） 0~200 SCCM （SF6） 0~200 SCCM （氬氣） 0~500 SCCM （其他氣體空氣） 0-500sccm （其他氣體氮?dú)猓?span> |
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流量控制范圍 |
±1.5% |
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氣路材料 |
304不銹鋼 |
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管道接口 |
6.35mm卡套接頭 |
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真空系統(tǒng) |
前級(jí)泵：無(wú)油真空泵4.7L/S 分子泵：1200L/S |
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測(cè)量范圍 |
1×10-5～1×105Pa |
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測(cè)量精度 |
1×10-5～1×10-4Pa ±40%的讀數(shù) 1×10-4～1×105Pa ±20%的讀數(shù) |
